永鼎股份接待23家机构调研,包括招商基金、嘉实基金、华安基金等
创始人
2025-12-17 06:08:37
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2025年12月16日,永鼎股份披露接待调研公告,公司于12月16日接待招商基金、嘉实基金、华安基金、长江资管、鹏华基金等23家机构调研。

公告显示,永鼎股份参与本次接待的人员共4人,为董事、副总经理、董事会秘书张国栋,永鼎光电子集团董事长李鑫,鼎芯研发总监张金胜,投资者关系经理房術。调研接待地点为公司会议室。

据了解,永鼎股份以科技创新为核心驱动力,聚焦新质生产力培育,构建“光电交融,协同发展”的战略产业格局。光通信领域覆盖“光棒-光纤-光缆”全产业链并向光芯片等高端器件延伸,深度参与全球分工;电力传输领域深化“一带一路”海外电力工程布局,同步拓展新能源汽车线束业务并加速超导带材产能扩张。公司核心聚焦激光器芯片与超导带材两大赛道,光芯片采用IDM模式把控全流程并执行高可靠性标准,超导带材掌握自主技术路线及独有制备工艺。

据了解,光通信激光器芯片产品线覆盖多速率、多应用场景,包括EML、硅光DFB、通信DFB、传感、窄线宽等系列;AI算力驱动的热门产品为800G/1.6T光模块核心芯片(如100G EML、硅光100mW CW HP等),旗下鼎芯光电已实现这些产品批量化生产,获国内部分光模块厂商认可并建立合作。

据了解,超导带材领域,公司自主研发成套生产设备及独有制备工艺,产品覆盖可控核聚变磁体、超导感应加热等场景并与相关客户合作;随着国家“十五五”规划及能源转型需求,计划2026年持续扩产。东部超导HF1200系列超导带材实现单根千米级批量化制备,强场条件下临界电流表现优异,标志公司在强场应用领域产业化能力迈入新阶段,为磁约束可控核聚变等场景提供支撑。未来公司将加大研发与产能扩张,把握AI算力与可控核聚变等机遇。

调研详情如下:

公司整体业务布局与战略方向

永鼎股份以科技创新为核心驱动力,聚焦新质生产力培育,构建了"光电交融,协同发展"的战略产业格局。

光通信领域:全产业链覆盖,向高端器件延伸

公司以"光棒-光纤-光缆"等网络基础通信产品为根基,纵向延伸布局光芯片、光器件、光模块等核心环节,形成从基础材料到终端应用的全链条能力。依托细分领域的全产业链优势,公司已实现从原材料制备到高端光电子器件的自主可控,深度参与全球光通信产业链分工。

电力传输领域:"一带一路"+新能源

在电力系统领域,公司持续深化"一带一路"沿线海外电力工程布局,同步拓展新能源汽车线束业务,加速高温超导带材产能扩张。

核心能力建设:聚焦激光器芯片与超导带材两大核心赛道

光芯片领域:完善激光器芯片产品矩阵,建成行业领先的化合物半导体工艺产线,技术覆盖芯片设计、晶体材料生长、晶圆工艺及测试封装全流程;采用 IDM(集成器件制造)模式,严格把控质量并执行高可靠性测试标准,确保产品性能稳定。

超导带材领域:自主研发 IBAD(离子束辅助沉积)+MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)技术路线的成套生产设备,掌握独有的重掺杂强磁通钉扎 REBCO(稀土钡铜氧)超导薄膜制备工艺,持续优化工艺参数并加速产能释放。

光通信激光器芯片产品布局

公司激光器芯片产品线覆盖多速率、多应用场景,主要包括:

EML 系列:100G EML、56G EML;

硅光 DFB 系列:100mW CW HP、70mW CW HP;

通信 DFB 系列:25G DML、10G DML;

传感系列:1653-TMT、1653-NTC;

窄线宽系列:7XXnm 窄线宽激光器及其他定制化产品。

AI 算力驱动的热门产品:800G/1.6T 光模块核心芯片

当前市场关注度较高的产品为 100G EML 及硅光 100mW CW HP、70mW CW HP,主要配套 800G、1.6T 光模块需求。受益于全球 AI 算力中心增长,相关芯片供需缺口扩大。公司旗下子公司鼎芯光电已实现上述产品的批量化生产能力,获国内某些光模块厂商认可,并建立合作。

高温超导带材业务现状与市场策略

产品优势

子公司东部超导专注第二代高温超导带材及应用产品开发,采用国内独有的 IBAD+MOCVD 技术路线,所制备的 REBCO 超导薄膜磁通钉扎性能优异。

客户合作与应用场景拓展

产品已覆盖可控核聚变磁体、超导感应加热、磁拉单晶、医学等领域,并与相关客户机构建立合作。

市场前景与应对策略

随着国家"十五五"规划将可控核聚变列为战略科技方向,叠加全球能源转型需求,超导带材应用场景持续丰富,未来市场景气度有望显著提升。为此,公司计划 2026 年持续扩产,匹配下游需求增长。

高性能超导带材技术突破与产业化进展

永鼎股份旗下东部超导推出的 HF1200 系列高性能 REBCO 超导带材,已实现单根千米级批量化制备(最大长度 1435 米)。经测试,在 20K/20T(垂直场 B∥c)条件下,4mm 带宽材临界电流 Ic 达435A,换算至 12mm 带宽后 Ic 高达 1305A,这一突破标志着公司在强场应用领域的产业化能力迈入新阶段。该成果验证了 HF1200系列带材优异的磁通钉扎性能与强场适应性,为其在磁约束可控核聚变等领域的应用提供了坚实支撑。依托 IDM 模式与全产业链布局,在高端光芯片与超导带材领域构建了显著的技术壁垒与市场竞争力。未来,公司将持续加大研发投入与产能扩张,把握AI 算力与可控核聚变等战略机遇,推动新质生产力加速落地。

来源:市场资讯

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