无锡微纳核芯电子科技申请MXene-BTCN忆阻器及其制备方法专利，兼具非易失性存储与类脑计算功能
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2026-01-30 16:49:23
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国家知识产权局信息显示，无锡微纳核芯电子科技有限公司;苏州科技大学申请一项名为“MXene-BTCN忆阻器及其制备方法”的专利，公开号CN121419553A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及MXene‑BTCN忆阻器及其制备方法、数据存储结构，包括导电基底层、设置在导电基底层上的金属电极层以及位于导电基底层与金属电极层之间的MXene‑BTCN功能层，MXene‑BTCN功能层由MXene与有机半导体BTCN复合形成。通过表面工程策略在MXene层中引入BTCN分子，利用BTCN中强吸电子的–CN基团与MXene表面的相互作用，形成稳定的杂化结构，提升了材料的分散性和电学稳定性。通过调控电极材料，器件可分别实现快速双极性开关（Au电极）与类突触渐变调制（Ag电极），兼具非易失性存储与类脑计算功能。不仅在高性能存储领域具有应用前景，还可用于构建高精度类脑计算系统。
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