签约落户！斯达半导体又有大动作
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近日，嘉兴市南湖区举行上市链主企业深耕嘉兴重大项目签约仪式，斯达半导体车规级功率器件全球制造总部项目签约落户。
相关资料显示，斯达半导体成立于2005年4月，是国内功率半导体行业龙头，IGBT模块市场份额全球第五、中国第一的企业。公司主营业务是以 IGBT 和 SiC 为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。
斯达半导体长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET 等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。
此前，斯达半导体已在南湖区落地6英寸车规级SiC MOSFET 芯片项目与高压特色工艺功率芯片项目。此次签约的车规级功率器件全球制造总部项目，专注于车规级功率芯片/模块的研发与制造。这是斯达半导体在南湖区的又一重大布局，将加速推进高端化智造、全球化布局以及生态化协同。
在技术与产能层面，斯达半导体拥有自主SiC芯片制造能力，其6英寸（150mm）SiC芯片生产线配合外包合作模式，具备大规模量产条件。企业公开数据显示，2024年斯达半导体为超300万辆电动车供应功率模块。同时，公司已在嘉兴建设专用SiC模块工厂，用于生产电动汽车及高效能应用模块。
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据了解，斯达半导体自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本，并以开发新产品、新技术为公司的主要工作，持续大幅度地增加研发投入，培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍，涵盖了IGBT 芯片、快恢复二极管芯片、SiC 芯片和 IGBT 和 SiC 模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等，在半导体技术、电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。目前，公司已经实现自主IGBT 芯片、快恢复二极管芯片、SiC MOSFET 芯片的量产，以及IGBT 和SiC 模块的大规模生产和销售。
斯达半导体拥有IGBT、SiC MOSFET 等芯片及模块的设计和应用专家，并成立了专门的应用部，能够快速、准确地理解客户的个性化需求，并将这种需求转化成产品要求；同时，公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制，目前公司已形成上百种个性化产品，这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要基础；另外，与国际品牌厂商相比，公司采用了直销模式，直接与客户对接，从而进一步提升了服务客户的效率。
斯达半导体表示，2025 年公司将积极应对国际环境及竞争环境变化，立足现有基础和优势，继续扎根以IGBT 为代表的功率半导体行业，持续加大技术和产品研发投入，深耕现有市场，不断开拓新市场，持续提高市场占有率，积极推动公司稳定持续发展。
斯达半导体将持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场，在新能源汽车用驱动控制器领域为纯电动汽车、混动汽车、增程式汽车、燃料电池汽车等客户提供全功率段的车规级IGBT模块、车规级SiC MOSFET模块，完善辅助驱动和车用电源市场的产品布局，为客户提供完善的辅助驱动和车用电源市场的产品；在燃油车用汽车电子市场，开发更多的燃油车用车规级功率器件。
此外，斯达半导体将持续加大芯片研发力度，结合市场需求，进一步丰富基于第七代微沟槽Trench FieldStop技术的IGBT 芯片以及和相匹配的快恢复二极管芯片的产品系列。还将持续加大研发投入，开发出更多符合市场需求的车规级SiC 功率模块。同时，公司加大SiC功率芯片的研发力度，在公司现有自主SiC MOSFET 芯片的基础上，继续不断开展新一代SiC MOSFET芯片的研发，持续推出具有市场竞争力的SiC 芯片和模块产品。开展车规级GaN 器件的研发和产业化。
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