近年来,全球新能源汽车市场的迅猛增长,推动了车规级功率器件市场的蓬勃发展。在这一背景下,国内功率半导体领域的佼佼者东微半导(688261.SH)经历了业绩的起伏,最终在2025年第一季度迎来了显著的业绩反弹。
回顾过去几年,东微半导的业绩曾一度陷入低谷。特别是在2024年,公司的扣非净利润同比大幅下滑98.06%,盈利规模从2022年的2.68亿元急剧缩减至231.90万元。尽管在这一年里,东微半导的功率半导体产品产量同比大增52.97%至3.81亿颗,销量亦同比增长50.44%至3.57亿颗,但产品售价的大幅下滑导致了盈利层面的剧烈波动。受行业下行周期与市场竞争加剧的双重影响,公司的毛利率和净利率均出现了显著下滑。
然而,在经历了两年的业绩低谷后,东微半导在2025年第一季度实现了业绩的强劲反弹。当季度,公司营收同比激增63.42%,扣非净利润更是同比暴增144.13%。这一业绩反转,不仅让市场眼前一亮,也引发了投资者对东微半导未来发展前景的广泛关注。
东微半导在2025年一季报中解释称,公司业绩的增长主要得益于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源等应用领域需求的回暖,以及产能的持续扩大、新产品的不断推出和产品组合结构的进一步优化。这些因素共同推动了公司业绩的显著提升。
从行业竞争的角度来看,功率半导体的技术博弈已经愈发激烈。东微半导作为深耕新能源汽车和工业领域的功率半导体企业,深知要在激烈的市场竞争中脱颖而出,必须依靠技术创新和产业升级。因此,公司将研发重点锁定在车规级功率器件领域、算力服务器电源和新能源功率模块领域以及先进材料等领域,加速产业突围。
在车规级功率器件领域,东微半导加大了IGBT大功率产品的研发力度,在巩固微型逆变器及储能应用优势的基础上,重点突破了光储电站、新能源汽车等高端场景。公司的E系列高速IGBT产品成功实现了高速IGBT领域的国产化,L系列IGBT产品则突破了国际品牌的技术壁垒,替代了国外厂商的超低Vcesat IGBT产品。公司的650V—1200V系列产品也成功切入新能源车载充电器市场。
在先进材料方面,东微半导深度布局SiC功率器件领域,加大了第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发力度。目前,公司已经实现了SiC二极管、SiC MOSFET及自主知识产权Si²C MOSFET的系列产品量产。其中,第二代、第三代650V、1200V平台SiC MOSFET已经完成车规级量产考核,正式进入批量供货阶段。全新研发的650V、750V、1200V第四代SiC MOSFET也已完成向客户送样验证,预计年内将启动规模化量产。
除了内生增长外,东微半导还通过战略并购加速外延布局。2025年1月,公司宣布拟以0元对价收购苏州电征科技有限公司54.55%的股权,实现绝对控股。这一收购将加速东微半导功率模块产品的迭代升级,加快推进重点产品线的扩充和延伸。
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