自主创新为基！长晶科技对标国际先进产品，助产业自主化
在全球半导体产业深度重构的关键节点，长晶科技凭借硬核技术实力打破外资垄断壁垒，成为中国功率半导体领域崛起的标志性力量。当我们将目光聚焦于这家成立仅数年的企业时，会发现其成长轨迹暗含着中国制造业升级的底层逻辑——以自主创新为根基，以市场需求为导向，最终实现从跟跑到领跑的华丽转身。
能够在短时间取得成功，离不开长晶科技在技术核心竞争力上的深耕。自成立之初，公司便将技术创新视为发展的核心驱动力，不断加大研发投入，在关键技术领域持续突破。
在 IGBT 领域，长晶科技已实现技术突破性跨越。公司于2024 年发布的第二代IGBT模块系列产品已实现规模量产，并凭借卓越性能在变频伺服、电力电子、工业电源等领域获得行业头部客户高度认，。同时，第三代 IGBT 单管产品性能全面对标国际品牌第七代产品，实现国产品牌大功率单管突破，为国内功率半导体产业自主化发展树立新标杆。
在 MOSFET 领域，长晶科技通过持续优化FOM（导通电阻×开关损耗）关键指标，实现多功率覆盖与结构创新。产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域，赢得市场广泛赞誉。
此外，在电源管理 IC 领域，公司围绕 DC-DC、LDO、锂电保护、三端稳压 IC 等产品线布局，成功发布新一代基准 IC 系列、全新一代 DC-DC 产品系列及首款 IPM 模块产品，为新能源汽车、智能终端提供更高效、更可靠的电源解决方案。
长晶科技的竞争力根基在于其垂直整合的全产业链布局。从创立之初 100 多人的规模，长晶科技自力更生、开拓创新，逐步构建起从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链布局。全产业链模式使得公司能够更好地把控产品质量、降低生产成本、提高生产效率，快速响应市场需求变化，在行业竞争中占据独特优势，也为其实现跨越式发展提供了保障。
长晶科技在市场布局上同样展现出前瞻性和精准性。公司不仅在国内市场深耕细作，还积极拓展国际市场，与全球众多知名企业建立了长期稳定的合作关系。通过参加国内外知名展会、举办技术研讨会等方式，长晶科技不断提升品牌知名度和美誉度，进一步巩固了其在全球半导体市场的地位。
特别是在PCIM Europe 2025这样的国际舞台上，长晶科技携最新研发的 IGBT 单管、IGBT 模块、IPM 及 SiC MOS 等多款功率器件产品精彩亮相，吸引了众多国外参观者驻足咨询、深入了解，以实力向全球市场充分证明了自身的技术价值与行业竞争力。
凭借持续的技术创新与卓越产品性能，长晶科技连续多年荣获中国半导体行业功率器件十强企业、国家专精特新 “小巨人”、江苏省工程技术研发中心、南京市 “百强高新技术企业”等多项荣誉，这些荣誉不仅是对公司实力的肯定，更显著提升了品牌在全球市场的影响力与战略地位。
面向未来，公司将继续秉持"创造世界一流的半导体品牌"的使命，加速推进FST4.0 IGBT研发与第三代半导体技术突破，深化新能源汽车、光伏储能等场景应用，以创新驱动全球功率半导体产业的高质量发展，为我国半导体产业链安全与自主可控贡献核心力量。