原创 出货839亿元订单？ASML正式宣布！是否正在阻止中国自研光刻机？
荷兰ASML公司在光刻设备领域长期占据优势地位，其产品直接决定全球先进芯片生产能力。从2019年开始，美国推动盟友限制对华出口先进半导体设备，荷兰政府逐步收紧许可，极紫外EUV机型彻底无法进入中国市场，深紫外DUV设备虽有供应，但审查越来越严。
中国作为全球芯片需求最大市场，企业为保障产能扩张，从2023年起大规模提前下单囤积DUV设备，导致ASML积压订单快速增加。
其中，中国客户部分一度占到总积压的三成左右，折合人民币约839亿元规模。
这批订单主要集中在成熟制程设备上，成为ASML近年来对中国销售的主要来源。
ASML在2025年10月15日发布的第三季度财报中明确表示，将继续按现有许可交付这些积压订单。中国在第三季度系统销售占比达到42%，远高于台湾的30%和韩国的18%，成为公司最大单一市场。这与2024年高峰期近一半占比相衔接，显示出货节奏明显加快。
从2025上半年开始，DUV设备分批次从荷兰工厂发运，海运至上海或大连港口，通关后进入保税区安装调试。
企业支付多采用预付款模式，2023年下单高峰时预付比例高达一半，推动ASML现金流大幅改善。
到第三季度末，部分高优先级订单已完成交付，客户用于扩充28纳米以上产能生产线。
这份839亿元订单涉及多种DUV机型组合，NXT系列浸没式占比最高，支持多图案曝光技术。中国企业选择高配置版本，带有软件升级套件，便于后续优化。
与2022年之前正常采购周期不同，那时中国订单占比稳定在20%左右，主要靠年度需求驱动。
限制措施实施后，囤积行为直接拉升占比，2024年达到49%，2025年第三季度仍维持42%。ASML管理层在财报会议中承认，这种高占比反映前期积压订单消化，而非新增需求爆发。
就在中国本土光刻设备进入关键验证阶段时，ASML加速交付DUV设备。如果供应充足，部分企业短期内可能优先使用进口机型扩产，减少对自主设备的紧急投入。
这与历史经验有相似之处，早年国际巨头依赖ASML时，也曾放缓内部研发。
但中国面临的情况更复杂，EUV完全断供已持续多年，倒逼全产业链从光源到物镜系统全面突破。
ASML此举看似商业常态，实际在维持客户粘性，避免中国市场彻底流失。公司库存压力通过出货缓解，同时锁定未来服务收入，毕竟DUV设备维护和升级依赖原厂支持。
从技术层面分析，ASML的DUV机型虽先进，但中国企业已掌握多重曝光和工艺补偿方法，在28纳米节点实现类似效果。进口设备到位后，主要用于功率器件、存储芯片和成熟逻辑芯片生产，与本土机型形成互补而非替代。
上海微电子600系列设备早在2025年5月交付首台28纳米浸没式光刻机，核心部件国产化率超过85%，光源能量密度提升40%，定位精度达到1.5纳米。通过华卓精科双工件台和国科精密投影物镜，单次曝光良率稳定在90%以上。
这与ASML浸没式DUV相比，光源功率虽有差距，但成本更低，供应链完全可控，从下单到交付只需三个月，而进口设备许可周期动辄半年。
ASML宣布出货时强调符合现行规定，不涉及新增先进机型，但外界关注其对本土研发的影响。如果设备源源不断，企业研发动力确实可能暂时减弱，转向采购优化现有产线。这正是公司策略的核心，通过供应成熟节点设备，延长垄断周期。
中国在EUV领域选择不同技术路径，采用激光诱导放电等离子体LDP方案，避开ASML激光产生等离子体LPP的专利壁垒。
2025年第三季度，国产EUV原型机已进入试生产阶段，光源稳定性测试顺利，计划年底实现小批量验证。这种迭代速度远超预期，从2023年28纳米起步，仅用两年多时间跨越到EUV原型，核心部件国产率目标直奔50%。
订单规模效应不容忽视，839亿元相当于数百台DUV设备，覆盖多家晶圆厂扩产需求。交付过程包括技术团队随行调试，提供升级路径，试图将客户绑定在生态内。
但中国专利布局已全面展开，2025上半年在DUV领域专利增长30%，覆盖图案质量改善、光刻胶匹配和对准系统优化，直接挑战ASML核心技术。
早期专利几乎空白，如今本土方案实现全链条覆盖，从光源到浸没液循环系统均有自主知识产权。ASML试图通过交付维持依赖的努力，与中国产业链加速整合形成鲜明对比。本土企业如长鑫存储和中芯国际，在28纳米实现百万片级量产验证，良率追平国际水平。
ASML管理层在10月会议中承认，中国自给努力将重塑市场格局。公司转向先进封装和高数值孔径EUV寻求新增长，但在中国成熟节点投资更激进，2025年新建产线数十条，全兼容DUV设备。这与公司预期2026销售下滑一致，下降幅度可能超过预期。
出货839亿元订单虽提供短期缓冲，但无法覆盖7纳米以下需求，中国企业仍需自主EUV推进。
ASML清空库存后，中国销售占比将从2025年的25%以上降至更正常水平。公司股价短期波动，但长期依赖AI驱动EUV订单。
进口设备到位缓解压力，但自主掌控才是长远保障。早期高度依赖进口时，采购不确定性高，如今本土机型从原型到量产迭代三次，光刻胶国产率超95%，问题解决效率大幅提升。
ASML策略虽精明，但外部限制已转化为内在动力，中国光刻机从90纳米到28纳米跃进仅用三年，与ASML早期发展周期相当。
本土28纳米光刻机规模验证顺利，EUV光源测试数据优异，产业链协同成熟。ASML中国业务正常化，正是本土替代成功的信号。
外部供应便利一时，自主技术可靠一世。
这场较量中，中国企业用行动证明，压力越大，反弹越强。
光刻机国产化进程，不仅填补空白，更在局部领域形成后发优势。
未来几年，14纳米干式设备将陆续量产，EUV小型化技术突破指日可待。