导语
2026年8月20日,长电科技(600584.SH)交出了一份极具含金量的半年度成绩单。在半导体行业景气度分化加剧的背景下,这家全球封测龙头以净利润同比大增79.4% 的业绩表现,验证了AI浪潮下先进封装价值的重估逻辑。
盈利增速远超营收
“剪刀差”背后藏有深意
财报显示,上半年长电科技实现营收195.3亿元,同比增长5.0%,创历史同期新高;但更值得关注的是利润端的爆发:归母净利润8.4亿元,同比增长79.4%;扣非净利润8.1亿元,增幅达84.7%。
利润增速与营收增速之间形成的巨大“剪刀差”,是企业盈利能力质变的直接信号。尤其在第二季度,公司实现营收103.6亿元,同比增长11.7%,环比增长12.9%;而归母净利润达到5.5亿元,同比增长107.3%,环比增幅更是高达91.0%。环比接近翻倍的净利润增长,反映出随着产能利用率提升和产品结构优化,公司的经营杠杆效应正在加速释放。
AI与汽车电子构成“双轮驱动”
业务结构质变
营收的稳健增长背后,是业务结构的深度优化。长电科技并未依赖行业的普涨,而是精准抓住了高景气赛道。
最大的亮点来自运算电子业务,上半年收入同比增长40.4%,已跃升为公司第一大收入来源,营收占比达到30.1% 。这得益于人工智能基础设施建设的爆发式需求,公司面向智算中心在算力、存储、互连和供电的全链路需求,完善了异质异构集成技术与芯片成品制造能力 。
同时,汽车电子业务继续保持高增长态势,上半年收入同比增长25.0%,营收占比提升至11.1%,实现营收21.6亿元 。临港汽车电子工厂于今年3月投产后,二季度迅速进入批量生产阶段,客户导入进度超预期 。这两大高附加值业务的强势增长,有效对冲了传统通信、消费电子领域的周期波动。
技术与产能“双基建”
78亿重注押定未来
亮眼的业绩源于长周期的战略投入。长电科技正同步推进技术攻关与产能扩张,为承接AI时代的封测需求筑牢底座。
在技术端,公司坚持“先进封装高端化”与“主流封装先进化”。今年上半年研发费用达10.3亿元,营收占比5.3% 。关键突破在于,公司面向2.5D/3D先进封装的高深宽比TSV(硅通孔)技术取得重要进展,成功制备出孔径1.5微米、深度17微米、深宽比达11.3:1的样品。这一突破意味着公司具备了业界领先的小孔径TSV工艺研发能力,为高算力芯片的3D堆叠和Chiplet异构集成提供了底层工艺支撑 。
在产能端,公司宣布投资78亿元在上海临港建设高端先进封测工厂,并于今年7月设立全资子公司“长润芯微系统”,注册资本40亿元 。项目计划2028年下半年完成一期建设 。结合在建工程余额同比增长34%的数据,长电科技正处于产能扩张的关键周期,这些布局将转化为未来2-3年的业绩弹性 。
全球化运营提质增效
长电科技还在通过管理升级释放利润空间。公司在新加坡设立海外财资中心,推动全球财资管理向集中协同升级,提升了全球经营体系的抗风险能力 。同时,持续的降本增效与成本管控,也对利润端形成了正向支撑。
结语
长电科技2026年上半年的业绩,清晰地描绘了一家封测龙头在AI时代的发展路径:不再仅仅是芯片制造的后道工序,而是通过先进封装技术参与系统级性能定义。随着运算电子成为第一大收入来源,以及78亿临港工厂的落地,长电科技正从规模扩张转向价值增长的新阶段。
长电科技公司简介
一、公司基础简介
江苏长电科技股份有限公司 JCET
1. 成立:1972年,总部江苏江阴;上交所上市,国内第一大、全球第三大半导体封测厂商(OSAT)
2. 全球排位:仅次于日月光(ASE)、安靠(Amkor)
3. 生产基地:中国江阴、滁州、上海、合肥 + 韩国、新加坡工厂;全球八大生产基地、两大研发中心
4. 主营业务:一站式芯片成品制造(封测),包含封装设计仿真、晶圆测试、芯片封装、成品测试、认证交付全套服务。
5. 下游应用:AI高性能计算、HBM存储、5G通信、消费电子、汽车电子、功率半导体、物联网医疗芯片等。
6. 发展里程碑:2015年收购新加坡星科金鹏(STATS‑ChipPAC),一跃进入全球第一梯队,拿到大量国际客户资源。
二、整体技术战略路线:全栈双线布局
长电走全能全覆盖路线,传统业务稳住营收基本盘;把资源重点投向Chiplet芯粒、HBM、2.5D‑3D、光电合封CPO四大前沿方向,发力AI算力芯片封装。
三、两大业务板块详细技术路线
板块1|成熟/传统封装(营收基本盘)
• 引线框架封装:SOP、QFP、QFN,用于消费、电源、MCU芯片
• 基板封装FC‑BGA倒装封装:通信芯片、处理器芯片
• WLP晶圆级封装:手机射频传感器
• SiP系统级封装:把多个芯片、无源器件封成一个模组(蓝牙、5G模组)
定位:现金流业务,为高端先进封装研发提供资金支撑
板块2|先进封装(未来增长主线,核心赛道)
1)旗舰平台:XDFOI® 高密度多维异构集成(自研核心平台,对标台积电CoWoS)
长电最核心的自有技术平台,专门面向Chiplet芯粒异构集成
• 覆盖:2D、2.5D、3D全部技术路径;提供有机RDL中介层、硅中介层、硅桥三种方案,适配不同成本需求
• 量产能力:支持4nm多芯片集成;最大封装面积可达1500mm²;微凸点间距低至1.5μm,良率98%‑99.5%
• 用途:AI加速卡、GPU+HBM组合、高性能服务器芯片
2)2.5D / 3D堆叠封装(AI算力、HBM存储主力路线)
• 2.5D:硅中介层方案,GPU芯片 + HBM高带宽内存并排封装,当前AI服务器主流方案;合肥、韩国工厂建有专线
‑3D垂直堆叠:混合键合技术,芯片上下叠放,互连密度再提升,面向下一代超高算力产品
3)HBM高带宽存储封装
国内本土厂商第一梯队,可完成8层‑16层HBM垂直堆叠封装;与SK海力士深度合作;临港新建大型基地专门扩建HBM产能。
4)CPO光电共封装(下一代前沿布局)
光芯片+电芯片合封在一起,降低高速数据传输损耗;已经完成硅光引擎样品交付测试,提前布局超高速算力网络。
5)汽车电子车规级封装路线
独立车规事业中心,AEC‑Q100认证;IGBT、SiC功率器件封装,布局新能源汽车芯片赛道。
四、国内同行路线对比(长电 / 通富微电 / 华天科技)
1. 长电科技:全栈全能路线,传统+先进双线均衡,XDFOI自研Chiplet平台,HBM、2.5D‑3D、CPO多条前沿路线同时推进;客户结构分散均衡
2. 通富微电:大客户绑定路线,深度绑定AMD算力芯片,FC‑BGA算力封装见长
3. 华天科技:消费+功率芯片路线,侧重手机、电源芯片,先进封装稳步追赶