计划总投资超200亿元 长飞先进武汉基地正式投产
5月28日，随着长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线，总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产。长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹表示：“这不仅是长飞先进发展历程中一个重要里程碑，更意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时。”
当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已成为全球争相抢占的科技制高点，其制造技术水平和产业规模直接关系到国家经济和科技发展。在此背景下，2023年8月，长飞先进与武汉东湖高新区签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议，持续扩大公司产能规模。
据介绍，长飞先进武汉基地项目总投资200亿、占地面积498亩，其中一期占地344亩，建设内容包括年产36万片外延厂、年产36万片6寸碳化硅晶圆厂、年产6100万个碳化硅功率模块封测厂，以及覆盖材料、化学分析、可靠性测试、失效分析、产品特性和产品应用的全产业链实验室，致力于打造一个集车规级芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
庄丹在接受经济观察网采访时表示：“随着武汉基地首片晶圆正式下线，长飞先进将迎来全新的发展征程，相信这不仅是长飞先进发展史上重要的里程碑，也将对中国第三代半导体及新能源汽车产业的发展作出积极贡献。”
过去三年，在第三代半导体创业过程中，长飞先进公司团队规模不断扩大，员工总数已超1500人；成功完成国际汽车电子行业质量管理及车规级可靠性两大核心标准认证；完成芜湖、武汉两大生产基地及上海、深圳两大销售中心战略布局。
作为引领新能源领域的“下一代功率半导体”，碳化硅正迎来发展的“黄金时代”。长飞先进方面表示，以本次武汉基地建成投产为新的起点，公司将一如既往不断加大研发投入、强化制造能力、提升产品竞争力，同时携手业界同仁，共同打造以碳化硅为代表的化合物半导体产业集群。
（作者 程久龙）