SK海力士加强无锡工厂后端工艺
据闪德资讯获悉，SK海力士正在建立以美国和中国为中心的全球生产体系。
SK海力士与中国封装测试合资公司签署了新合同，正在推进后端工艺技术升级和产能扩张。
合同履行期限为2025年7月1日至2030年6月30日。
SK海力士根据海太半导体的成本管控水平向海太半导体提供奖励。
如果SK海力士本年度的年度营业利润为非正数，则奖励金额不予发放；如果根据本合同的约定，触发奖励支付条款，奖励金额最低应为230万美元，最高不得超过1000万美元。
为了将对外泄露风险降到最低，海太半导体在任何情况下均不得向SK海力士的竞争者以及其关联公司提供后工序服务。如果海太半导体拟开展第三方服务，应至少提前6个月取得SK海力士的书面同意。
随着AI半导体需求的不断增长，后端工艺的重要性日益显著，此次合作有望成为构建稳定供应链的关键基石。
中国太极工业宣布，旗下子公司海太半导体（Hi-Tech Semiconductor）将与SK海力士签署第四阶段后段制程委托服务合同。
海太半导体是2009年在无锡成立的后段制程合资公司，SK海力士和太极工业分别持股45%和55%。
SK海力士与海太半导体之间的后处理合同，采用五年为单位的中长期续约制度。
第四份合同侧重于通过“总成本+合同利润”模式确保利润稳定。
该合同被视为一项战略演变，加强后处理服务的专业性和盈利能力。
SK海力士在中国的后端业务主要在无锡和重庆运营。在无锡，毗邻DRAM生产工厂的合资公司海太半导体负责DRAM后端封装和测试。在重庆，SK海力士拥有一座全资拥有的NAND闪存后端工厂。该工厂2013年开始建设，2014年投入运营。重庆的第二家工厂2019年竣工。
SK海力士正致力于通过建立横跨韩国利川、中国重庆和无锡以及美国印第安纳州的全球后端生产三个基地来增强产能。
半导体制造工艺的微型化接近极限，解决后端工艺中高性能、集成度和热管理等技术挑战的重要性增加。
尤其是对人工智能和HBM等新技术的需求正在飙升，而封装和测试技术已成为迈向半导体性能的“最终门槛”。
通过在中国设立后工序合资企业实现本地化，是分散政策风险、提升客户响应速度的战略选择，有利于在中国这个全球最大的半导体市场。由于该工序的劳动力成本占比较高，因此在成本方面也具有优势。
通过加强与本地企业的合作，配合中国的半导体自主发展政策，可以同时确保政策认可度和运营稳定性。
SK海力士还正在美国印第安纳州西拉斐特建设首个本地后处理生产基地。
去年宣布将投资约38.7亿美元，建设一个用于AI内存的先进封装生产基地。计划2028年下半年开始量产下一代HBM及其他产品。
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