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【供应商亮点】SK Keyfoundry推出先进多层厚金属间电介质电容工艺

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2025-10-03 21:59:15

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SK Keyfoundry的新型工艺可显著提升半导体器件中电容器的安全性、可靠性、使用寿命与抗噪声能力

Source: Getty image /Sefa ozel

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry日前公布了其用于电容器的多层厚金属间电介质（IMD）工艺，该工艺具有高击穿电压特性，这一特性不仅有助于提升半导体器件的安全性、可靠性与使用寿命，同时还能增强抗噪声能力。该工艺可支持堆叠多达三层金属间电介质，在金属—绝缘体—金属结构中，总厚度最高可达到18微米（μm）。这可提供高达19,000伏特的高击穿电压特性，并有效提升电容性能。预计该技术将用于制造数字隔离专用电容器，以及用于抑制电子电路中电容耦合的电容器。

采用这种先进工艺生产的电容器已成功通过主要客户的严格评估，包括通过了经时介电层击穿（TDDB）测试，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准，确保在严苛环境下实现高可靠性运行。值得注意的是，该工艺可集成到0.13微米及0.18微米BCD工艺技术中，这一特性使其特别适用于汽车半导体领域。SK Keyfoundry还提供一系列设计支持工具，如工艺设计套件（PDK）、设计规则检查（DRC）、版图寄生参数提取（LPE）、版图与电路原理图一致性检查（LVS）以及参数化单元（Pcell），以进一步助力客户加速产品开发。

作者：ATI News Team

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