8月27日,印第安纳州西拉斐特的普渡大学霍洛威体育馆,SK海力士为其美国首座HBM先进封装生产基地举行了奠基仪式。
40亿美元,这是SK海力士在美国砸下的最大单笔投资。工厂预定2028年10月完成无尘室建设,2029年下半年正式启动新一代HBM量产。目标很明确,1000多名员工,美国本土HBM核心生产基地。
印第安纳州州长、参议员、普渡大学校长悉数到场。美国商务部官员当场确认,芯片法案已向该项目拨款4.58亿美元。SK海力士方面,美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙、CEO郭鲁正全部出席。郭鲁正说,仅仅生产最好的内存已经不够,必须为客户AI系统开发定制化内存解决方案,用先进封装最大限度提升系统性能。
这座工厂的运作逻辑是"双边紧密连接",韩国本土生产的先进晶圆运到印第安纳,完成封装测试,直接供应美国客户。工厂旁边同步建设研发测试设施,与客户、大学、商业伙伴共同研发下一代封装技术。
更重要的是磁吸效应。SK海力士透露,已有超过100家材料、零件、设备领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特进行洽谈。间接创造约7000个就业机会。
当天SK海力士还与普渡大学签署了先进封装研发合作谅解备忘录。HBM产能竞赛已进入白热化阶段,SK海力士在美国的这一步,既是产能扩张,更是对AI时代芯片供应链重塑的押注。