SK海力士举行美国印第安纳州封装设施奠基仪式，并与普渡大学签署研发MOU_科技资讯_新闻资讯

SK海力士举行美国印第安纳州封装设施奠基仪式，并与普渡大学签署研发MOU

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2026-08-29 00:57:44

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（来源：超能网）

SK海力士宣布，于当地时间27日在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）的普渡大学霍洛威体育馆（Holloway Gymnasium）举行了面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式，包括首席执行官郭鲁正等高管也一同参加。

图：SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特建设的先进封装生产基地效果图

SK海力士投资了超过40亿美元在西拉斐特建造先进封装生产基地，预计2028年10月完成无尘室建设，并于2029年下半年启动生产，面向HBM产品。未来SK海力士会将韩国生产的先进晶圆将运至印第安纳，经过先进封装和测试后，将HBM产品直接供应给美国客户。随着生产全面步入正轨，该基地有望发展成为拥有1000余名员工的美国核心生产基地。

SK海力士还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床（Testbed）”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。目前有超过100家涵盖材料、零部件及设备等领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特事宜进行洽谈，为先进封装生产基地的稳定运营提供有力支撑，并进一步夯实当地半导体生态系统。

这次SK海力士还与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录（MOU），双方将加强研发合作，共同研究包括HBM在内的下一代系统集成及先进封装技术。另外SK海力士打算扩大与美国中西部地区主要高校及研究机构的合作，致力于培养和引进全球顶尖人才。

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